联系方式
通讯地址：山东省曲阜市静轩西路57号
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办公地址：物理楼410
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一、个人简历
王海龙，男，1971年5月出生，博士，教授，博士生导师，博士后合作导师，15vip太阳集团副院长，
15vip太阳集团“1361”人才工程入选人才，15vip太阳集团第八届学术委员会委员，
济宁市物理学会第六届理事会常务理事、副秘书长，济宁市海外联谊会第四届理事会理事。
教育背景:
中国科学院半导体研究所理学博士学位（2000.7）
北京师范大学物理系理学硕士学位（1995.7）
15vip太阳集团物理系学士学位（1992.6）
工作经历:
1995年7月开始在15vip太阳集团物理系工作，历任助教（1995）、讲师（1997）、
副教授（2000）、教授（2006），其间：日本电信电话株式会社(NTT)物性科学基础研究所博士后（2000.9-2002.8）香港理工大学电子及资讯工程系 Research Fellow（2002.9-2003.7）
日本国际电气通信基础技术研究所(ATR) Research Fellow（2003.8-2005.3）
现任职务:
15vip太阳集团副院长，负责学院的科研、研究生、本科生毕业论文等工作，并协助院长分管学科建设。
二、教学工作
主要从事本科生、研究生基础课和专业课的教学工作，主讲过的课程有热力学与统计物理、固体物理、光电子技术与光纤通信、半导体物理学、光电材料与器件、固体光电性质、现代物理选讲等。主持热力学统计物理校级精品课程建设。
三、研究领域
光通信与量子通信，半导体光电子学，凝聚态光电性质等
四、奖励、荣誉情况
济宁市优秀科技工作者（2013）
山东省研究生优秀科技创新成果三等奖(第二位)（2013）
山东省海外专业人士创新创业成就奖(2011)
山东省优秀硕士学位论文（导师）（2010）
山东省优秀学士学位论文（导师）（2012）
15vip太阳集团优秀共产党员（2011）
15vip太阳集团优秀研究生指导教师（2009, 2011, 2013）
15vip太阳集团研究生教育先进工作者（2008, 2010）
国家级大学生创新创业训练计划项目（指导教师）（2014）
五、科研项目：
[1] 2014.12—2017.11，1.55微米InAs/InGaAsP量子点半导体光放大器材料与器件(ZR2014FM011),经费：18万元，山东省自然科学基金委。（主持）
[2] 2014.1—2015.12，III-V融合材料和稀铋材料中杂质缺陷的研究(SKL201307)，经费：10万元，国家重点实验室开放课题。（主持）
[3] 2012.01-2015.12,1.5-1.7微米波段宽调谐InAs/InP量子点外腔激光器的研究(61176065),经费：70万元，国家自然科学基金委。(第二位)
[4] 2010.11—2013.11，InAs/InP量子点外腔激光器（ZR2010FM023），经费：7万元，山东省自然科学基金委。（主持）
[5] 2010.01-2012.12, GSMBE 1.55微米InAs/InGaAsP量子点激光器材料与器件(60976015),经费：40万元,国家自然科学基金委。（主持）
[6] 2006.1-2008.12应力驱动微结构自组装方法的理论及实验研究，经费：2万元，教育部留学回国人员科研启动基金。（主持）
[7]2009.6-2011.5应变自组装方法制作三维半导体微纳米结构的理论与实验研究，经费：10万元，国家重点实验室开放课题。（主持）
六、研究论文与发明专利：
国家发明专利：
1.发明名称：原位测量源炉中源材料质量的方法，发明人：龚谦，王海龙，发明专利号：ZL 2008 1 0035437.3,授权公告日：2010年09月29日
2.发明名称：束源炉中源材料熔化时对应热偶温度的测量方法，发明人：龚谦，王海龙，徐海华，专利号：ZL 2008 1 0035446.2，授权公告日：2010年11月17日
发表研究论文70多篇，主要论文：
1. XuegangZheng, HailongWang, Qian Gong, LichunZhang, Guangliang Cui, QingshanLi, Li Chen, Fuquan Wu, ShuminWang, Highly Luminescent Carbon Nanoparticles as Yellow Emission Conversion Phosphors，Materials Letters, 143, 290-293 (2015).（通讯作者）
2. X. G. Zheng, H. L. Wang, Q. Gong, G. L. Cui, L. Chen, GuqiaoDing, A facile and transfer-free path for template-less synthesis of carbon nanosheets, Materials Letters,143, 233-236 (2015).（通讯作者）
3. LI Shi-Guo, GONG Qian, CAO Chun-Fang, WANG Xin-Zhong, YAN Jin-Yi, WANG Hai-Long, Junction-Temperature Measurement in InAs/InP(100) Quantum-Dot Lasers, Chinese Physics Letters, 32(1), 014208(2015).
4. X.G. Zheng,H.L. Wang, Q. Gong, L. Chen, K. Wang, S.M. Wang, Template-less Synthesis of Hollow Carbon Nanospheres for White Light-Emitting Diodes, Materials Letters, 126, 71-74 (2014).（通讯作者）
5. S. G. Li, Q. Gong, C. F. Cao, X. Z. Wang, J. Y. Yan, Y. Wang, H. L. Wang, A review of external cavity-coupled quantum dot lasers,optical and quantum electronics,46, 623(2014).
6.王文娟,王海龙,龚谦,宋志棠,汪辉,封松林，外电场对InGaAsP/InP量子阱内激子结合能的影响,物理学报，62(23),237104(2013)。（通讯作者）
7.陈茜,王海龙,汪辉,龚谦,宋志棠, Ga1-xInxNyAs1-y/GaAs量子阱中电子-LO声子的散射率,物理学报，62(20),226301(2013)。（通讯作者）
8. S.G. Li, Q. Gong, C.F. Cao, X.Z. Wang, L. Yue, Y. Wang, H.L. Wang, Multi-spectral lasing characteristics of InAs/GaAs quantum dot laser, Superlatticesand Microstructures, 59, 97-105 (2013)
9. S.G. Li, Q. Gong, C.F. Cao, X.Z. Wang, J.Y. Yan, Y. Wang, H.L. Wang, The developments of InP-based quantum dot lasers, Infrared Physics and Technology, 60, 216-224(2013).
10. S. G. Li,Q. Gong, C. F. Cao, X. Z. Wang, and H. L. Wang, Measurements of I-V characteristics in InAs/InP quantum dot laser diode, Journal of Modern Optics, 59(19), 1695-1699 (2012).
11. S. G. Li,Q. Gong, X. Z. Wang, L. Yue, Q. B. Liu, H. L. Wang and C. H. Ma, Morphology and shape dependent characteristics of InAs/InP(100) quantum dot laser grown by gas source molecular beam epitaxy, Physica E, 44(10), 1983-1987(2012).
12. S.G. Li, Q. Gong, C.F. Cao, X.Z. Wang, P. Chen, L. Yue, Q.B. Liu, H.L. Wang, C.H. Ma, Temperature dependent lasing characteristics of InAs/InP(100) quantum dot laser, Materials Science in Semiconductor Processing, 15(1), 86-90 (2012).
13. Chuanhe Ma, Hailong Wang, Yan Zhou, Qian Gong, Peng Chen, Chunfang Cao, Song-Lin Feng,Shiguo Li, The I-V characteristics of InAs/GaAs QD laser, Physica B, 406(19),3636-3639(2011).（通讯作者）
14. Zhou Yan，Wang Hai-long, Ma Chuan-he, Gong Qian, FengSong-Lin, Fabrication of strain-driven self-assembly micromirroron a GaAs substrate, Chinese Physics Letters, 28(7):078102(2011).（通讯作者）
15. Q. Gong, P. Chen, S.G. Li, Y.F. Lao, C.F. Cao, C.F. Xu, Y.G. Zhang, S.L. Feng, C.H. Ma, H.L. Wang,Quantum dot lasers grown by gas source molecular-beam epitaxy, Journal of Crystal Growth, 323(1),450-453(2011).
16. P. Chen, Q. Gong, C. F. Cao, S. G. Li, Y. Wang, Q. B. Liu, L. Yue, Y. G. Zhang, and S. L. Feng，C. H. Ma, H. L. Wang, High performance external cavity InAs/InPquantum dot lasers, Applied Physics Letters, 98(12), 121102 (2011).
17. Hailong Wang , Liming Jiang,Qian Gong，Songlin Feng, External electric field effect on the hydrogenic donor impurity in zinc-blendeInGaN/GaN cylindrical quantum well wire, Physica B，405(18), 3818-3821 (2010).
18. S.G. Li, Q. Gong, Y.F. Lao, Y.G. Zhang, S.L. Feng and H.L. Wang, InAs/InP(100) quantum dot laser with high wavelength stability, Electronics Letters，46 (2), 158-159 (2010).
19. S. G. Li, Q. Gong, Y. F. Lao, H. D. Yang, S. Gao, P. Chen, Y. G. Zhang, S. L. Feng, and H.L. Wang, Two-color quantum dot laser with tunable wavelength gap, Applied Physics Letters95, 251111 (2009).
20. Liming JIANG, Hailong WANG , HuitingWU, Qian GONG，Songlin FENG，Electronic states of a shallow hydrogenic donor impurity in different shaped semiconductor quantum wells, Communications in Theoretical Physics, 51(6), 1135-1138 (2009).（通讯作者）
21. Liming JIANG, Hailong WANG , HuitingWU, Qian GONG，Songlin FENG，External electric field effect on the hydrogenicdonor impurity in zinc-blende GaN/AlGaNcylindrical quantum dot，Journal of Applied Physics 105, 053710 (2009)（通讯作者）
22. Huiting WU, Hailong WANG , Liming JIANG, Qian GONG，Song-Lin FENG，The electric field effect on binding energy of hydrogenic impurity in zinc-blendeGaN/AlxGa1-xN spherical quantum dot，Physica B，404(1), 122-126(2009).（通讯作者）
23.吴慧婷，王海龙，姜黎明,有效质量差异和电场对GaN/AlxGa1-xN球形量子点电子结构的影响，物理学报，58(1),465-470(2009).（通讯作者）
24. S.G. Li, Q. Gong, Y.F. Lao, K. He, J. Li, Y.G. Zhang, S.L. Feng, H.L. Wang, Room temperature continuous-wave operation of InAs/InP(100) quantum dot lasers grown by gas-source molecular-beam epitaxy,Applied Physics Letters 93, 111109 (2008).
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40. Wang Hailong, Feng Songlin, Zhou Jie and Yang Xizhen, Determination of Capture Barrier of Defects for GaAs Alloys and Transient Photo-resistivity Spectroscopy, ACTA PhysicaSinica (Overseas edition), 5(1), 1-9 (1996).
七、业余爱好
乒乓球，羽毛球，象棋，摄影等
